Московский государственный университет печати

Волосатова С.В., Овчукова С.А.


         

Методическое руководство по изучению дисциплины "Электротехника и электроника"

для студентов, обучающихся по направлению 261700 "Технология полиграфического и упаковочного производства"


Волосатова С.В., Овчукова С.А.
Методическое руководство по изучению дисциплины "Электротехника и электроника"
Начало
Об электронном издании
Оглавление
1.

Цели и задачи дисциплины

1.1.

Требования к уровню освоения содержания дисциплины

Рекомендуемый алгоритм изучения дисциплины

Рекомендуемый график изучения дисциплины

Часть 1. Электротехника

2.

Тема 1. Линейные электрические цепи постоянного тока

2.1.

Вопросы для самопроверки:

2.2.

Литература:

3.

Тема 2. Электрические цепи синусоидального тока

3.1.

Вопросы для самопроверки:

3.2.

Литература:

4.

Тема 3. Электрические цепи несинусоидального тока

4.1.

Вопросы для самопроверки:

4.2.

Литература:

5.

Тема 4. Переходные процессы в линейных электрических цепях

5.1.

Вопросы для самопроверки:

5.2.

Литература:

6.

Тема 5. Нелинейные магнитные и электрические цепи.

6.1.

Вопросы для самопроверки:

6.2.

Литература:

7.

Тема 6. Трансформаторы и электрические машины.

7.1.

Вопросы для самопроверки:

7.2.

Литература:

Часть 2 Электроника

8.

Тема 7. Полупроводниковые приборы

8.1.

Вопросы для самопроверки:

8.2.

Литература:

9.

Тема 8. Источники вторичного электропитания

9.1.

Вопросы для самопроверки

9.2.

Литература:

10.

Тема 9. Усилители электрических сигналов

10.1.

Вопросы для самопроверки:

10.2.

Литература:

11.

Тема 10. Импульсные схемы на операционных усилителях

11.1.

Вопросы для самопроверки:

11.2.

Литература:

12.

Тема 11. Логические цифровые устройства. Цифровые и аналого-цифровые преобразователи

12.1.

Вопросы для самопроверки

12.2.

Литература:

13.

Контрольные работы

14.

Список литературы

15.

Формы контроля

В результате изучения данной темы студент должен

знать: структуру собственной и примесной проводимости, физические основы образования р-n перехода; принцип действия полупроводниковых диодов, транзисторов, тиристоров, их электрические и эксплуатационные параметры и характеристики, область применения, типы, условные обозначения, маркировку полупроводниковых приборов; основные соотношения элементов схем включения диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров; преимущества интегральных полупроводниковых микросхем;

уметь: осуществлять выбор п/п приборов по их маркировке, условным обозначениям, паспортным данным, выполнять анализ работы п/п приборов по их характеристикам, делать выводы по результатам эксперимента, проводить расчеты параметров диодов, транзисторов в активном и ключевом режиме работы, тиристоров; правильно выбрать тип п/п прибора при составлении схемы.

понимать: сущность физических явлений в полупроводниковых материалах, особенности электрических процессов, обуславливающих ток основных и неосновных носителей на р-n переходах; роль базы, как управляющего электрода в транзисторах и тиристорах; принципиальные отличия параметров в схемах включения транзисторов с ОЭ, ОБ, ОК; необходимость разработки полевых транзисторов.

    1. Как образуется примесный полупроводник?

    2. Какие исходные материалы используются для изготовления полупроводников?

    3. Назовите природу возникновения основных носителей, составляющих диффузионный ток, и не основных, составляющих дрейфовый ток, в р-n переходах диода и транзистора.

    4. Объясните зависимость ширины запирающего слоя р-n перехода от приложенного напряжения положительной и отрицательной полярности.

    5. Объясните, почему вне запирающего слоя р-n перехода слои полупроводника нейтральные.

    6. Перечислите основные параметры диода и транзистора.

    7. Как изменяются прямая и обратная ветви ВАХ диода с повышением температуры ?

    8. На каких свойствах полупроводника основана работа стабилитрона?

    9. Какая ветвь ВАХ используется в опорном диоде ?

    10. Изобразите ВАХ диода и схемы снятия прямой и обратной ветви.

    11. Приведите условные изображения биполярных транзисторов разных типов на принципиальных схемах.

    12. Нарисуйте входную и выходную ВАХ транзистора.

    13. Чем отличаются режимы работы транзистора в классе «А» и классе «Б» передаточной характеристики?

    14. Обозначьте области насыщения, отсечки и активную область на выходных характеристиках биполярного транзистора.

    15. Изобразите возможные схемы включения транзистора и сравните значения входных и выходных сопротивлений при различных способах включения.

    16. Почему процесс отпирания тиристора при подаче тока управления протекает лавинообразно? Можно ли управлять работой тиристора после его включения?

    17. Какие преимущества имеют полевые транзисторы по сравнению с биполярными?

    18. Чем отличаются МДП транзисторы с индуцированным и встроенным каналами?

    19. Объясните эффект электрического поля, образование обедненного, обогащенного и инверсионного слоев.

    20. В каком случае ток стока полевого транзистора изменяется из-за расширения р-n перехода?

    21. Сравните значения входных и выходных сопротивлений биполярных и полевых транзисторов.

    22. Назовите возможные области применения биполярных и полевых транзисторов, а также тиристоров.

    23. Перечислите свойства полупроводниковых и гибридных ИМС.

    1. Г.Н. Горбачев, Е.Е. Чаплыгин «Промышленная электроника», М., «Энергоатомиздат», 1988 г., глава 1.

    2. Ю.С. Забродин «Промышленная электроника», М., «Высшая школа», 1982 г., стр.7-83.

    3. А.Г. Морозов «Электротехника. Электроника и импульсная техника», М., «Высшая школа», 1987 г., стр.295-339.

    4. В.Г. Гусев, Ю.М. Гусев «Электроника и микропроцессорная техника», М., «Высшая школа», 2004 г., стр.52-153.

    5. С.П. Вартанян, О.М. Михайлова и др. «Электроника», лабораторные работы по направлению «Автоматизация и направление»: М., изд. МГУП, 1999 г., 64 с., стр. 4-28.

    6. С.П. Вартанян «Электротехника и электроника», лабораторно-практические работы для вечерней формы обучения, М., 2002 г., 35 с. ЛР№5.

    7. О.М. Михайлова «Общая электротехника и электроника», методическое руководство по решению задач и выполнению расчетно-графических работ, М., 2004, 67 с., стр. 54-74.

    8. Л.П. Мелешкина и др. « Руководство к лабораторным работам по основам промышленной электроники», М, «Высшая школа», 1977, 255с., стр. 3-28.

Самостоятельно:

    1. Л.П. Мелешкина и др. « Руководство к лабораторным работам по основам промышленной электроники», М, «Высшая школа», 1977, 255с., стр. 4-32.

    2. Т.Ф Березкина, Н.Г. Гусев. В.В. Масленников «Задачник по общей электротехнике с основами электроники», М., «Высшая школа», 2001, 377 с., стр.310-320.

© Центр дистанционного образования МГУП