Московский государственный университет печати

Ванников А.В.
Уарова Р.М.


         

Электрография

Учебное пособие


Ванников А.В.
Электрография
Начало
Печатный оригинал
Об электронном издании
Оглавление

Предисловие

Введение

1.

Получение и характеристики скрытого электростатического изображения

1.1.

Краткий обзор электрофотографических систем

1.2.

Краткий обзор фоторецепторов

1.3.

Заряжение поверхности фоторецептора

1.4.

Темновой спад поверхностного потенциала

1.5.

Фотоиндуцированная разрядная кривая

1.6.

Эффект усиления изображения в ЭФ-процессе

1.7.

Механизм генерации свободных носителей заряда

1.8.

Инжекция носителей заряда из генерационного слоя в транспортный слой

1.9.

Генерационный слой

1.10.

Механизм транспорта свободных носителей заряда

1.11.

Проявляющее электрическое поле

2.

Проявление скрытого электростатического изображения

2.1.

Общие сведения о проявлении

2.2.

Электрическое поле проявления и его связь с характеристиками проявленного изображения

2.2.1.

Проявляющий электрод

2.2.2.

Характеристическая кривая проявления

2.2.3.

Влияние поля проявления на коэффициенты контрастности проявления &#947;<sub>0</sub> и &#947;<sub>w</sub>

2.2.4.

Физический смысл параметров поля проявления

2.3.

Кинетика электрофотографического проявления

2.4.

Проявление скрытого электростатического изображения магнитной кистью

2.4.1.

Двухкомпонентный магнитный проявитель

2.4.2.

Блок проявления магнитной кистью

2.4.3.

Факторы, влияющие на оптическую плотность изображения, проявленного магнитной кистью. Расчет проявления

2.5.

Жидкостное проявление

2.5.1.

Электрофоретическое проявление.

2.5.2.

Факторы, влияющие на оптическую плотность проявленного изображения. Расчет проявления

2.5.3.

Проявление аэрозолем жидкого проявителя

2.6.

Однокомпонентное сухое проявление

2.6.1.

Метод пылевого облака

2.6.2.

Проявление однокомпонентным магнитным проявителем

2.7.

Обращенное проявление

3.

Перенос тонерного изображения. Получение копии.

3.1.

Перенос изображения

3.2.

Закрепление изображения на копии

3.2.1.

Бесконтактное термическое закрепление изображения

3.2.2.

Термосиловой метод закрепления

3.2.3.

Расчет процесса закрепления изображения

3.3.

Перенос изображения в цветных копировальных аппаратах

4.

Очистка фоторецептора

5.

Электрографическое оборудование

5.1.

Общие сведения об оборудовании

5.2.

Копировальные аппараты

5.2.1.

Типы копировальных аппаратов

5.2.2.

Общие сведения о строении и работе черно-белых копировальных аппаратов аналогового типа

5.2.3.

Принципы построения основных блоков аналоговых копировальных аппаратов

5.2.3.1.

Оптический блок

5.2.3.2.

Электрофотографический блок

5.2.4.

Особенности электрографических печатающих устройств цифровых копировальных аппаратов

5.2.4.1.

Оптические системы цифровых копировальных аппаратов

5.2.4.2.

Особенности проявления скрытого электростатического изображения в цифровых копировальных аппаратах

Список использованной и рекомендуемой литературы

Указатели
11  именной указатель
240  предметный указатель
121  указатель иллюстраций
6  указатель компаний

1.6.
Эффект усиления изображения в ЭФ-процессе

Можно приближенно оценить коэффициент усиления изображения в электрофотографическом процессе следующим образом. Определим концентрацию красителя, нужную для получения видимого изображения фотохимическим методом. Предполагая, что для полного поглощения света необходима оптическая плотность красителя ≥ 3 и коэффициент экстинкции εэ красителя имеет максимальное значение ~106 дм2/моль, получим для поверхностной концентрации красителя Cкр величину или, переходя от числа молей к числу молекул, . Согласно при средних рабочих значениях параметров заряженного фоторецептора, e = 3,5, V = 1000 В, L = 15 мкм, поверхностная плотность заряда составляет , что соответствует поверхностной концентрации заряженных молекулярных частиц . Коэффициент усиления .

1.7.
Механизм генерации свободных носителей заряда

Зависимость η от F определяется полевой зависимостью квантовой эффективности образования свободных носителей заряда ηкв(F) и/или полевой зависимостью квантовой эффективности инжекции свободных носителей заряда из генерационного слоя в транспортный ηин(F), т.е. . выражается как число свободных носителей заряда, генерированных в ГС, на один поглощенный фотон. Согласно теории Онзагера, квантовая эффективность связана с квантовым выходом электронно-дырочных пар η0 и начальным расстоянием между положительным и отрицательным зарядами в паре r0 уравнением, первые члены которого даются соотношением:

где rk - кулоновский радиус, находится из условия равенства тепловой энергии носителей заряда kT и энергии их кулоновского взаимодействия: . Экспоненциальный член представляет собой вероятность диссоциации ионной пары с начальным разделением зарядов r0 на свободные носители заряда в отсутствие электрического поля (рис. 1.2Рис. 1.2. Связанная пара фотогенерированных зарядов. Электрон захвачен в ловушку, дырка - подвижна). Если , то вероятность диссоциации равна 1. Свободными называются носители заряда при расстоянии между соседними противоположно заряженными носителями, превышающем rk. Анализ уравнения

показывает, что без электрического поля, а в больших электрических полях (> 106 В/см) , к тому же чем меньше отношение r0/rk, тем резче рост ηкв(F,r0) с увеличением электрического поля и тем больше разница в значениях ηкв(F,r0) при F = 0 и . На рис. 1.3Рис. 1.3. Зависимости квантовой эффективности образования свободных носителей заряда от величины электрического поля. Экспериментальные точки получены для фоторецептора из a-Se, экспонированного монохроматическим излучением различных длин волн. Значения r0 получены при оптимальном совмещении теоретических кривых с экспериментальными точками приведены результаты численного расчета зависимости ηкв от F и r0 по формуле

и экспериментальные данные для аморфного селена. Из формулы следует, что для фоторецепторов с низкими значениями e характерными, например, для Фоторецептор двуслойный органическийорганических фоторецепторов, кулоновский радиус при комнатной температуре достигает нескольких десятков ангстрем, а r0 из-за низкой подвижности носителей заряда лежит в интервале 2-4 нм и зависит от длины волны возбуждающего света: чем больше длина волны, тем меньше r0. Поэтому в органических фоторецепторах квантовая эффективность достаточно сильно зависит от величины электрического поля. Напротив, в ряде Фоторецептор неорганическийнеорганических фоторецепторов, например, аморфном кремнии, в силу большой диэлектрической проницаемости и значительной подвижности носителей заряда r0 > rk, ηкв не зависит от F и имеет максимальное значение. Следует еще отметить зависимость r0 от длины волны экспонирующего излучения: чем меньше длина волны (то есть чем больше энергия кванта), тем больше r0 (рис. 1.3Рис. 1.3. Зависимости квантовой эффективности образования свободных носителей заряда от величины электрического поля. Экспериментальные точки получены для фоторецептора из a-Se, экспонированного монохроматическим излучением различных длин волн. Значения r0 получены при оптимальном совмещении теоретических кривых с экспериментальными точками).

1.8.
Инжекция носителей заряда из генерационного слоя в транспортный слой

В Фоторецептор двуслойный органическийдвухслойных фоторецепторах при поглощении света в генерационном слое образуются носители заряда, которые затем инжектируются в транспортный слой. Свойства контакта (полимерный слой, содержащий агрегаты молекул красителя)|(молекулярно допированный полимерный слой) определяют величину ηин(F). В стационарных условиях генерации и транспорта носителей заряда при экспонировании идет конкуренция процессов рекомбинации носителей заряда в генерационном слое и инжекции одного знака носителей из генерационного слоя в транспортный, при этом справедливо уравнение

где n - стационарная концентрация свободных носителей заряда в ГС;

N - концентрация транспортных центров в ТС, на которые переносятся носители при Инжекцияинжекции из ГС;

kин и kp - константы скорости инжекции и рекомбинации носителей заряда в ГС;

I0 - интенсивность экспонирующего излучения (предполагается, что оно полностью поглощается в ГС).

Решение квадратного уравнения дает

где ;

ηин - отношение числа инжектированных носителей заряда к числу поглощенных фотонов в единицу времени:

Как видно, α квадратично возрастает с увеличением концентрации транспортных центров в ТС и сильно зависит от величины электрического поля. Действительно, для свободных носителей заряда константа скорости рекомбинации имеет вид

где μэ и μд - подвижности электронов и дырок.

Полевая зависимость подвижности представлена выражением

В свою очередь, kин определяется разностью энергий транспортных уровней носителей заряда в ГС и ТС. На рис. 1.4Рис. 1.4. Расположение энергетических уровней при инжекции электронов и дырок из ГС в ТС показана схема расположения уровней при инжекции дырок и электронов. Барьеры, возникающие на межслойной границе, связаны с тем, что энергетическое расстояние между основным и возбужденным уровнями в генерационном слое (поглощение света в видимом и ближнем ИК-диапазонах) гораздо меньше, чем в транспортных молекулах (поглощение в ультрафиолетовой (УФ) области). В электрическом поле высота барьера понижается и

В результате , т.е. a резко возрастает с увеличением N и F.

В больших полях и при большой концентрации транспортных центров и из выражения следует, что , т.е. все фотогенерированные в ГС заряды инжектируются в транспортный слой, ηин(F) определяется только ηкв(F) и не зависит от свойств границы раздела ТС|ГС.

В небольших полях, когда величина , то и ηин(F) среди прочего определяется функцией kин(F), которая связана с высотой барьера, образованного на границе раздела слоев. При неизменном генерационном слое и использовании в транспортном слое пиразолина с заместителями N(C2H5)2, OCH3, H, а также поливинилкарбазола (ПВК) ηин(F) уменьшается. Например, величина ηин(F), равная 0,15, достигается в этом ряду при F = 1,7×1014; 4×1014; 1,2×1014; 1,2×1015 и 2,5×1015 В/см соответственно.

В больших полях проверить (F> 5 × 1015 В/см) различия в полевых зависимостях для транспортных слоев, отличающихся по составу, исчезают и отношение становится равным 1 (по уравнению ). В больших полях все фотогенерированные носители заряда инжектируются в транспортный слой. В двухслойных фоторецепторах , в однослойных .

1.9.
Генерационный слой

Слой генерационныйГенерационный слой в органических фоторецепторах представляет обычно гетерогенный материал толщиной от 0,5 до 2 мкм, состоящий из кристаллического пигмента или красителя, диспергированного в виде частиц размером 0,02-0,1 мкм в прозрачном полимерном связующем. Иногда в слой добавляются молекулы транспортного вещества. Если полимер - хороший изолятор, то объемная доля пигмента составляет не менее 0,4 (что соответствует теоретическому пределу начала так называемого перколяционного транспорта носителей заряда, возникающего при определенной концентрации в результате непрерывного, по всему слою, контакта частиц пигмента) и, как правило, превышает 0,56. Однако значения выше 0,6 трудно достижимы из-за агломерации частиц пигмента при изготовлении слоев методом полива. Наиболее часто используемые в ГС пигменты показаны на рис. 1.5Рис. 1.5. Строение молекул пигментов, используемых в ГС:1 - бисазопигмент; 2 - фталоцианин (М-TiO, VO, ClIn, ClGa I и др.); 3 - несимметричный бисазопигмент; 4 - дибромоантантрон; 5 - хлородиановый голубой пигмент; 6 - перилен; 7 - тиапириллиевый краситель; 8 - сквариллиевый краситель. Азопигменты и дибромоантантрон применяются в копировальных аппаратах, а остальные - в принтерах, где экспонирующие источники - Светодиодсветодиоды (660 нм) или Лазер полупроводниковыйполупроводниковые лазеры (780 нм).

Следует отметить существенную разницу в структуре Слой генерационныйгенерационных и транспортных слоев. ТС представляют полимерную матрицу, молекулярно допированную транспортными молекулами. Другими словами, транспортные молекулы находятся на определенном расстоянии r друг от друга, заданном их концентрацией , и система в целом является гомогенной. Благодаря этому в слое отсутствуют глубокие ловушки для носителей заряда и все инжектированные носители заряда достигают заряженной поверхности фоторецептора за максимально короткое время.

Генерационные слои являются микрогетерогенными системами, так как состоят из полимерного связующего, включающего микрокристаллы пигмента. Большое количество структурных дефектов в такой системе обеспечивает высокий квантовый выход образования стабилизированных электронно-дырочных пар и, как следствие, высокий квантовый выход свободных носителей заряда. Причина заключается в следующем.

При поглощении фотона происходит ионизация молекулы пигмента. В однородной бездефектной среде выбитый из молекулы электрон движется, не меняя спинового состояния, и с большой вероятностью может рекомбинировать со «своим» положительным зарядом. При наличии большой концентрации дефектов - электронных ловушек - электрон захватывается ловушкой, при этом направление спина электрона изменяется на противоположное и для рекомбинации требуется дополнительная энергия, чтобы восстановить первоначальную ориентацию электронного спина. В результате появляется стабилизированная ионная пара. Другими словами. в гетерогенных системах величины ηкв больше, чем в гомогенных. Вероятность образования свободных носителей заряда из стабилизированной ионной пары находится по уравнению

Количественная оценка эффективности функционирования частиц пигмента в генерационном слое может быть проведена так. Если взять объемную долю пигмента 0,6, толщину генерационного слоя 1 мкм и линейный размер частицы пигмента 0,1 мкм, то получится на 1 см2 поверхности фоторецептора число частиц пигмента ~ 6×1010 . Число фотонов (λ = 780 нм), необходимое, чтобы разрядить поверхность фоторецептора толщиной 25 мкм и с e = 3, заряженную до потенциала 1000 В, составляет ~ 6×1012 см-2. Принимается, что плотность поверхностных зарядов, согласно , равна 6×1011 см-2, а ηин = 0,1. Поэтому нужно, чтобы каждая частица пигмента в среднем генерировала при экспонировании 10 свободных носителей заряда при поглощении 100 фотонов.

1.10.
Механизм транспорта свободных носителей заряда

Процесс образования Скрытое электростатическое изображение (СЭИ)СЭИ в заряженной фотопроводниковой структуре фоторецептора включает: поглощение фотонов, возникновение и транспорт свободных носителей зарядов. В случае положительно заряженных однослойных фотопроводящих слоев из аморфного Se или гидрированного аморфного кремния α-Si:H поглощение света происходит в узкой области у поверхности. Получившиеся свободные дырки инжектируются в объем и дрейфуют к электроду. В двухслойных органических фоторецепторах свободные дырки генерируются в тонком ГС, инжектируются в ТС и дрейфуют к поверхности (см. рис. 1.1Рис. 1.1. Фоторецепторы: а - однослойные, б - двуслойные).

Подвижность носителей заряда μ в ТС непосредственно связана со скоростью их транспорта в электрическом поле и является важнейшей характеристикой фоторецептора, так как определяет быстроту действия ЭФ-аппаратЭФ-аппаратов и предельную разрешающую способность. Механизм транспорта - «прыжки» электронов между транспортными молекулами (центрами) - называется прыжковым. В электрическом поле частота прыжков по полю больше, чем против поля, что приводит к появлению электрического тока. При электронном транспорте прыжок электрона происходит от анион-радикала к нейтральной молекуле. Необходимое условие - положительное сродство к электрону (энергия, выделяющаяся при образовании аниона из нейтральной молекулы) транспортной молекулы. При дырочном транспорте потенциал ионизации (энергия, затрачиваемая для отрыва электрона от нейтральной молекулы) транспортной молекулы минимальный и электрон «прыгает» от нейтральной транспортной молекулы к соседнему катион-радикалу, что приводит к транспорту положительных зарядов в противоположном направлении. На рис. 1.6Рис. 1.6. Строение транспортных молекул, используемых в ТС: 1 - бифенилдиамин; 2 - бисдиетиламинотрифенилметан; 3 - поливинилкарбазол (ПВК); 4 - карбазол гидразон; 5 - бензальдегид карбазол; 6 - пиразолин; 7 - тринитрифлуоренон даны структуры наиболее употребительных органических транспортных молекул.

ПодвижностьПодвижность - это коэффициент пропорциональности, связывающий электрическое поле и дрейфовую (в направлении электрического поля) скорость носителей заряда:

.

μ зависит от F, причем в органических системах - очень сильно. Измерение подвижности в ТС проводится время-пролетным методом: в ГС коротким лазерным импульсом генерируются носители заряда и осциллографом измеряется импульс тока I движущегося пакета носителей заряда через ТС в электрическом поле F. Когда носители заряда проходят весь ТС, ток падает до нуля. Соответствующий временной интервал называется временем пролета tпр (рис. 1.7Рис. 1.7. Форма импульса тока при транспорте носителей заряда через ТС). Величина подвижности находится из соотношения

Предполагается, что движение носителей заряда происходит в условиях равновесного заполнения энергетических уровней транспортных центров. Если равновесие не достигнуто, то в линейных координатах I-t регистрируется монотонно падающая кривая без каких-либо особых точек. Теоретический анализ показывает, что в этом случае до достижения tпр , после времени пролета . В билогарифмических координатах lgI-lgt спад тока выражается двумя прямыми, пересекающимися в момент времени tпр, при этом сумма наклонов этих прямых равна -2 (рис. 1.8Рис. 1.8. Переходный ток в случае неравновесного транспорта носителей заряда через ТС).

В зависимости от полярности приложенного напряжения измеряется подвижность электронов или дырок. Если транспортные центры характеризуются одним энергетическим уровнем, то температурная и полевая зависимость подвижности подчиняется эмпирическому уравнению Гилла:

где μ0 - не зависящий от температуры и поля предэкспоненциальный множитель;

- энергия активации в нулевом поле;

k - константа Больцмана;

T и T0 - температура измерения и характеристическая для данного фоторецептора температура (в градусах К);

r - среднее расстояние между транспортными центрами;

r0 - постоянная спада волновой функции транспортного центра (как правило, );

β - константа, приблизительно равная .

Электронно-дырочный транспорт возможен в органических фоторецепторах при условии . Как следует из уравнения , температурные зависимости подвижности при различных значениях F = const в координатах lgμ-1/T выражаются прямыми, пересекающимися в точке с координатами . Аналогично полевые, линейные в координатах lgμ - F0,5, зависимости подвижности при различных T = const пересекаются в точке с координатами . Это случай для простых по строению транспортных центров. Уравнение соответствует экспериментальным данным в области больших полей F > 104 В/см. Если транспортные центры представляют сложные молекулярные системы, которые могут существовать в различных геометрических формах, то вместо одного уровня в ТС появляется набор энергетических уровней, подчиняющихся гауссовскому распределению. Здесь полевая зависимость подвижности имеет более сложный вид:

где σ - ширина гауссовского распределения, эВ;

C = 2,9×10-4(см/В)0,5

∑ - параметр, характеризующий пространственный беспорядок, возникающий за счет разброса расстояний между транспортными центрами.

Выражения

наиболее полезны при изучении подвижности в области малых полей. Их экстраполяция к дает возможность получить значение подвижности в нулевом поле μ.

Зная подвижность носителей заряда и ее полевую зависимость, можно оценить предельное разрешение фоторецептора. При экспонировании полуплоскости с абсолютно резкой границей через Фоторецептор (фотопроводник)фоторецептор движется пакет носителей в экспонированной части с подвижностью μ(F). Время пролета tпр через фоторецептор вычисляется по формуле . За это время граница пакета расширяется за счет диффузии на расстояние d вдоль поверхности пленки, определяемое из соотношения

где D(см2×c-1) - коэффициент диффузии, связанный с подвижностью в нулевом поле μ0 соотношением Эйнштейна: μ0 = De/kT. Таким образом,

Принимая, что при качественной передаче изображения расплывание штриха не должно превышать 0,1 его ширины, для предельной разрешающей способности электростатического изображения на фоторецепторе получаем выражение

Числовое значение Rпр можно найти, подставляя в это выражение типичные характеристики органического фоторецептора при комнатной температуре: L = 20 мкм, μ0/μ(F) = 0,1, V = 500 В. При этих значениях мм-1. Реальные R электрофотографических аппаратов и машин существенно меньше. Это связано с тем, что разрешающую способность всего процесса получения копии определяет размер частиц тонера.

1.11.
Проявляющее электрическое поле

При равномерном заряжении поверхности фоторецептора Поле электрическое проявляющееэлектрическое поле над поверхностью практически равно 0. Чтобы проявляющее поле имело необходимое для проявления достаточно высокое значение, нужно ввести над поверхностью проявляющий электрод. Это следует из рассмотрения электрической цепи, составленной из двух конденсаторов: емкости фоторецептора и воздушного зазора между поверхностью фоторецептора и проявляющим электродом (рис. 1.9Рис. 1.9. Схема двухслойного конденсатора). Если на поверхности фоторецептора плотность поверхностного заряда равна s, то для двойного конденсатора справедливо:

Отсюда следует, что при L << d потенциал поверхности близок к потенциалу фоторецептора в отсутствие проявляющего электрода. При d  ∞ электрическое поле над поверхностью диэлектрика отсутствует:

Для оценки качества изображения на регистрирующий слой проецируют Оригиналоригинал в виде решетки с синусоидальным распределением оптической плотности по заданному направлению. В случае ЭФ-регистрации электростатическое изображение на фоторецепторе достаточно хорошо передает оригинал при разрешении, меньшем ~ 103мм-1. Поэтому оригинал, соответствующий этим условиям, при экспонировании заряженного фоторецептора с большой степенью вероятности создаст скрытое электростатическое изображение. изменяющееся по закону

где σ0 - амплитуда неизменяющейся части заряда;

σk - амплитуда переменной составляющей поверхностного заряда.

Пространственная частота k равна 2π/λ (λ - период заряженной решетки). Приведенная синусоида хорошо аппроксимирует решетку с шириной штриха λ/2. Изменяя k, можно моделировать решетку с любой шириной линий, вплоть до непрерывно заряженной плоскости (k  ∞). Сложные изображения с резкими границами обрабатываются обычным способом, используя преобразования Фурье. Конечное видимое изображение определяется распределением проявляющего поля, созданного над поверхностью фоторецептора электростатическим изображением, так как заряженные частицы тонера движутся по силовым линиям поля. Распределение поля получается в результате решения уравнения Лапласа:

где V - потенциал выше поверхности фоторецептора.

В любой точке пространства вектор электрического поля F может быть разложен на две компоненты: Fz (перпендикулярно поверхности) и Fy (перпендикулярно штрихам по поверхности). В отсутствие проявляющего электрода (d = ∞)

и

Из уравнения следует, что нормальная компонента поля максимальна на поверхности фоторецептора и экспоненциально спадает с расстоянием от его поверхности. Скорость падения возрастает с увеличением пространственной частоты k. На рис. 1.10, аРис. 1.10. Распределение силовых линий над поверхностью фоторецептора:а - проявляющий электрод отсутствует, d = Ґ. L = 25 мкм, e = 3, l = 10 мкм, s0 = 2,9Ч10-4 Кл/м2, sk = 2,9Ч10-4 Кл/м2; б - в присутствии проявляющего электрода, d = 100 мкм. Остальные параметры те же, что и в а; в - синусоидальная решетка поверхностного заряда. s0 + sk = 5,8Ч10-4 Кл/м2 показан ход силовых линий поля для синусоидального распределения зарядов на фоторецепторе (рис. 1.10,вРис. 1.10. Распределение силовых линий над поверхностью фоторецептора:а - проявляющий электрод отсутствует, d = Ґ. L = 25 мкм, e = 3, l = 10 мкм, s0 = 2,9Ч10-4 Кл/м2, sk = 2,9Ч10-4 Кл/м2; б - в присутствии проявляющего электрода, d = 100 мкм. Остальные параметры те же, что и в а; в - синусоидальная решетка поверхностного заряда. s0 + sk = 5,8Ч10-4 Кл/м2). Касательная в каждой точке линии дает Направление полянаправление поля, а плотность (частота) линий - Величина полявеличину поля. В проявлении участвуют только частицы тонера, сосредоточенные непосредственно у поверхности фоторецептора, и проявленное изображение существенно отличается от Скрытое электростатическое изображение (СЭИ)СЭИ. В присутствии проявляющего электрода, находящегося под потенциалом Vсм, вертикальная и горизонтальная составляющие поля представлены уравнениями

и

На рис. 1.10,бРис. 1.10. Распределение силовых линий над поверхностью фоторецептора:а - проявляющий электрод отсутствует, d = Ґ. L = 25 мкм, e = 3, l = 10 мкм, s0 = 2,9Ч10-4 Кл/м2, sk = 2,9Ч10-4 Кл/м2; б - в присутствии проявляющего электрода, d = 100 мкм. Остальные параметры те же, что и в а; в - синусоидальная решетка поверхностного заряда. s0 + sk = 5,8Ч10-4 Кл/м2 показано, что в этом случае направление силовых линий кардинально меняется. Они заполняют все пространство: начинаются на проявляющем электроде, заканчиваются на фоторецепторе в местах максимальной плотности поверхностного заряда и только у поверхности фоторецептора имеют ненулевое значение горизонтальной составляющей поля. Проявляющий электрод создает оптимальные условия для проявления электростатического изображения: в проявлении участвуют все частицы тонера, находящиеся между проявляющим электродом и фоторецептором, и проявленное изображение полностью совпадает с СЭИ. В уравнениях

при расчете характеристик поля изменяются только члены, содержащие координаты выбранной точки y, z. Остальные члены постоянны и рассчитываются один раз для данного фоторецептора.

© Центр дистанционного образования МГУП